單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD
我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。
單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD
我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強(qiáng)度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。
3.設(shè)備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長
單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號： | BTF-1200C-SL-PECVD |
實驗機(jī)理： | PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。 |
技術(shù)參數(shù)： | 開啟式真空管式滑軌爐 反應(yīng)腔體尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100 加熱區(qū)長度：440mm 恒溫區(qū)長度：200mm（±1℃） 工作溫度：1100℃ 溫度：1200℃ 控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 控溫精度：±1℃ 升溫速率：10℃/min 爐門結(jié)構(gòu)：開啟式 工作電源：AC220V /50HZ 額定功率：3KW |
真空泵和閥門 采用KF25系列波紋管和手動擋板閥； 真空度可達(dá)10-3torr； 數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。 | |
質(zhì)量流量計控制氣路系統(tǒng)（可來圖訂制） 內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量； 氣體流量范圍可選，誤差為±1.5%； 一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥； 不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。 | |
射頻電源與匹配器 電源：單相50/60Hz 220v±10% 加熱（功率）電源：2.5KW，25A 控制柜電源空氣開關(guān)：32A空氣開關(guān) 薄膜生長室溫度：室溫~ 1200℃ 射頻頻率：13.56MHz 射頻功率輸出范圍：5~500W |
