可程控磁控濺射鍍膜儀
主要由濺射真空室、磁控濺射靶、離子轟擊、公轉(zhuǎn)基片臺(tái)、光加熱系統(tǒng)、濺射電源、工作氣路、真空獲得系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量、水冷卻及報(bào)警系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等組成。
簡(jiǎn)單介紹：
可程控磁控濺射鍍膜儀為單腔室結(jié)構(gòu)，主要由濺射真空室、磁控濺射靶、離子轟擊、公轉(zhuǎn)基片臺(tái)、光加熱系統(tǒng)、濺射電源、工作氣路、真空獲得系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量、水冷卻及報(bào)警系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等組成。
詳情介紹：
可程控磁控濺射鍍膜儀由工控機(jī)和PLC實(shí)現(xiàn)控制，有自動(dòng)和手動(dòng)控制兩種模式。除取放樣品外，其它操作過(guò)程全部在觸摸屏上實(shí)現(xiàn)；提供真空系統(tǒng)、濺射工藝設(shè)置、充放氣系統(tǒng)等人機(jī)操作界面；在工控機(jī)上可通過(guò)配方設(shè)置參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)程序工藝過(guò)程和設(shè)備參數(shù)的設(shè)置。
設(shè)備用途：
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、LED和光伏等行業(yè)，主要用于各種金屬、半導(dǎo)體及介質(zhì)材料的薄膜制備，可滿(mǎn)足科研兼小批量生產(chǎn)需要。
技術(shù)參數(shù)：
濺射室極限真空 | ≤8.0×10-6Pa | |
恢復(fù)真空時(shí)間 | 系統(tǒng)從大氣抽至1.0×10-3 Pa≤15min | |
均勻性 | 膜厚不均勻性≤±5%；片間不均勻性≤±5%；批次間不均勻性≤±5% | |
濺射真空室 | 圓筒形結(jié)構(gòu)，尺寸Ф800mm×250mm | |
磁控濺射系統(tǒng) | 永磁靶4支，靶材尺寸6英寸； 配1臺(tái)進(jìn)口電源（射頻或直流脈沖可選）； 濺射速率：0.5～5埃/秒（靶材Al） | |
公轉(zhuǎn)基片臺(tái) | 6英寸6片，（4英寸12片或3英寸16片）； 基片公轉(zhuǎn)3～15轉(zhuǎn)/分，連續(xù)可調(diào)，可選配公自轉(zhuǎn)復(fù)合工件臺(tái) | |
光加熱系統(tǒng) | 樣品加熱溫度：室溫～250℃，連續(xù)可調(diào)； 基片溫度不均勻性：≤±10℃； 控溫方式為PID自動(dòng)控溫及數(shù)字顯示，配備進(jìn)口控溫表 | |
工作氣路 | 2路質(zhì)量流量控制器氣路 | |
抽氣機(jī)組成 | 低溫泵（進(jìn)口）、羅茨干泵機(jī)組、氣動(dòng)閘板閥（進(jìn)口）、管路等 | |
真空測(cè)量 | 2個(gè)真空計(jì)（進(jìn)口）對(duì)系統(tǒng)真空、工作真空及前級(jí)真空進(jìn)行**檢測(cè)；真空度在工控機(jī)觸膜屏上可直觀(guān)顯示；可準(zhǔn)確監(jiān)控濺射鍍膜工藝過(guò)程的真空度 | |
控制系統(tǒng) | 系統(tǒng)由工控機(jī)（觸摸屏）和進(jìn)口PLC實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的控制 | |
占地面積 | 主機(jī) | 1500×1000mm2 |
電控柜 | 700×700mm2（一個(gè)） | |
