紫外接觸式光刻機-半導體工藝

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EVG610支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其*的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，非常適合大學和研發(fā)應用。

EVG光刻機應用

       MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導體等方面的圖形光刻應用

特點：

     晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

      頂部和底部對準功能

      高精度對準

      自動楔形補償序列

      電動的和程序控制的曝光間隙

      支持UV-LED技術

      系統占地面積小

      分步流程指引

      遠程技術支持

      多用戶概念（***數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同語言）

     敏捷的處理和轉換重新加工

      臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面

      附加功能：

         鍵合對準

         紅外對準

         納米壓印光刻（NIL）

關鍵技術參數：

       頂部對準精度：≤ ± 0,5 微米

       底部對準精度：≤ ± 2,0 微米

       紅外對準模式：≤ ± 2,0 微米/取決于基片的材料

        接觸：硬、軟接觸，真空

       曝光間隙：1 - 1000 微米

       線寬精度：1微米