納米干涉形貌儀nanoprofilometer是采用微納干涉顯微鏡部分相干光的干涉技術(shù)制造的納米輪廓儀和納米形貌儀,可定量測(cè)量微米尺度和納米尺度表面形貌輪廓,并且?guī)酌腌娔軌虿杉?百萬(wàn)數(shù)據(jù)點(diǎn)。
納米干涉形貌儀采用部分相干光干涉技術(shù),具有亞納米精度,比傳統(tǒng)形貌儀更為精密。
納米干涉形貌儀提供了功能強(qiáng)大的非接觸式光學(xué)表面形貌測(cè)試工具,可測(cè)量各種類型表面,包括光滑的,粗糙的,平整的,臺(tái)階表面和傾斜表面等。微納表面形貌測(cè)試無(wú)損,快速并且不需要制樣。
納米干涉形貌儀可提供平整度,粗糙度,波紋度和臺(tái)階高度。

圖1：納米干涉形貌儀nanoprofilometer實(shí)物圖
納米干涉形貌儀nanoprofilometer主要優(yōu)點(diǎn)：
Z軸分辨率：~30pm(原子smoth mirror，nanorelief模式）
~0,3um (microrelief模式）
相應(yīng)快速
具有一定的隔振能力
測(cè)量過(guò)程自動(dòng)化程度高
用戶自定義界面
高質(zhì)量軟件界面良好展示3D測(cè)量結(jié)果
不同測(cè)量形貌可選配不同的顯微鏡種類
具有nanorelief模式和microrelief模式
三坐標(biāo)定位樣品
軟件具有cross-linking功能,可測(cè)量大面積樣品
*的軟件功能存儲(chǔ)和系統(tǒng)化測(cè)量結(jié)果

圖2：納米干涉形貌儀應(yīng)用-Si襯底上Pd膜厚度,100nm膜層高度（Nanorelief模式）

圖3：納米干涉形貌儀應(yīng)用-Si晶體表面臺(tái)階高度,0.314nm高（Nanorelief模式）

圖4：納米干涉形貌儀應(yīng)用-溝槽測(cè)量,101 nm ± 3%（Nanorelief模式）

圖5：納米干涉形貌儀應(yīng)用-溝槽深度,40 ± 1.2μm （Microrelief模式）

圖6：納米干涉形貌儀應(yīng)用-衍射器件臺(tái)階高度測(cè)量,高度3.7μm （Microrelief模式）
納米干涉形貌儀規(guī)格配置
光電探測(cè)器：1392x1040像素CCD
光源：630nm LED
微物鏡：20X（或者選配10X和5X)
掃描裝置：壓電陶瓷掃描器件
位移臺(tái)：Z軸行程50mm, XY行程75x50mm
控制器：包括位移臺(tái)控制和整套控制器
軟件：包含
納米干涉形貌儀規(guī)格參數(shù)
測(cè)量面積：0.4mm x 0.3mm (20X物鏡）
像素尺寸：0.3μm(20X物鏡）
橫向分辨率：等于或優(yōu)于1μm
測(cè)量模式：Microrelief模式和Nanorelief模式
高度分辨率：~0.3μm（Microrelief模式）
~30pm (Nanorelief模式,帶有自動(dòng)smoth mirror下）
高度測(cè)量范圍：50mm（Microrelief模式）
20um (Nanorelief模式,帶有自動(dòng)smoth mirror下）
測(cè)量速度： ~4μm/s（Microrelief模式）
~20μm/10s (Nanorelief模式,帶有自動(dòng)smoth mirror下）