
應(yīng)用領(lǐng)域
– LED的性能和可靠性
– GaN功率晶體管
– 線位錯(cuò)密度(TDD)
– 載流子壽命測試和動力學(xué)
– 晶體缺陷研究
– 太陽能電池的效率
– 納米尺度光電器件的研發(fā)
– 寬禁帶半導(dǎo)體研究
設(shè)備特點(diǎn)
? 可實(shí)現(xiàn)定量測量的陰極熒光分析系統(tǒng)SEM-CL
? 300μm直徑的視場
? 優(yōu)于10nm的空間分辨率
? 10ps的時(shí)間分辨率
? Schottky場發(fā)射槍(連續(xù)系統(tǒng))和皮秒脈沖光電槍(時(shí)間分辨模式)
? 樣品溫度范圍:20K-300K,位移精度1nm
工作模式
? 光學(xué)顯微鏡成像
? 陰極熒光測繪(多色,單色和高光譜)
? 二次電子測繪
? 時(shí)間分辨陰極熒光(時(shí)間分辨選項(xiàng))
? 二次電子和陰極熒光同步測繪