一、概述
ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入，其采用行業(yè)前沿的創(chuàng)新技術，具備 1 全穆勒矩陣測量技術， 2 雙旋轉補償器同步控制技術，3 超級消色差補償器設計技術，4 納米光柵表征測量技術 等技術?？蓱糜诟鞣N各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數(shù)以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析，代表當今橢偏行業(yè)比較高的技術水平。
■ 雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素；
■ 配置自動變角器、五維樣件控制平臺等優(yōu)質硬件模塊；
■ 軟件交互式界面配合輔助向導式設計，易上手、操作便捷；
■ 豐富的數(shù)據(jù)庫和幾何結構模型庫，保證強大數(shù)據(jù)分析能力
二、產(chǎn)品特點
■ 采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)；
■ 可實現(xiàn)穆勒矩陣數(shù)據(jù)處理，測量信息量更大，測量速度快、數(shù)據(jù)更加精準；
■ 基于雙旋轉補償器配置，可一次測量獲得全穆勒矩陣的16個元素，相對傳統(tǒng)光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測量信息；
■ 頤光技術確保在寬光譜范圍內，提供優(yōu)質穩(wěn)定的各波段光譜；
■ 數(shù)百種材料數(shù)據(jù)庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；
■ 集成對納米光柵的分析，可同時測量分析納米結構周期、線寬、線高、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息；
三、產(chǎn)品應用
■ 半導體薄膜結構：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等；
■ 半導體周期性納米結構：納米光柵，套刻誤差，T型相變存儲器等；
■ 新材料，新物理現(xiàn)象研究：材料光學各向異性，電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等；
■ 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
■ 光伏太陽能：光伏材料（如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等）反射率，消光系數(shù)測量，膜層厚度及表面粗糙度測量等；
■ 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
■ 生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等；
■ 塊狀材料分析：固體（金屬、半導體、介質等）或液體（純凈物或混合物）的折射率n和消光系數(shù)k表征，玻璃新品研發(fā)和質量控制等。
四、技術規(guī)格
| 型號 | ME-L |
| 應用 | 科研級/企業(yè)級 |
| 基本功能 | Psi/Delta、R/T、穆勒矩陣等光譜 |
| 分析光譜 | 380-1000nm（支持擴展至193-2500nm） |
| 單次測量時間 | 1-8 s |
| 重復性測量精度 | 0.005nm |
| 精度 （直通測量空氣） | 橢偏參數(shù)：Ψ= 45±0.05° Δ= 0±0.1° |
| 穆勒矩陣：對角元素 m=1±0.005 | |
| 非對角元素 m=0±0.005 | |
| 折射率重復性精度 | 0.0005 |
| 光斑大小 | 大光斑：2-4mm |
| 微光斑：200μm/100um | |
| 超微光斑：≤50um |
● 重復性精度指標針對100nmSiO2/Si標準樣件30次重復性測量；
● 儀器具體技術參數(shù)需與實際功能模塊、配件有關，表中數(shù)據(jù)僅供參考
五、可選配置
波段選擇
V : 380-1000nm VN :380-1650nm
UV :245-1000nm UN :210-1650nm
UV+ :210-1000nm DN :193-1650nm
DUV :193-1000nm UN+ :210- 2500nm
角度選擇
自動 ：45-90°
手動 ：45-90°（5°步進）
固定 ：65°
其它選擇
Mapping選擇 : 4~12英寸（供參考，按需定制）
溫控臺: -193~1000℃（供參考，按需定制）
