OSI雪崩硅光電二極管，適用于紫外到近紅外波段
硅光電二極管用于檢測紫外線到近紅外波段的光，是一種半導(dǎo)體器件，OSI Optoelectronics公司開發(fā)了多種適用于該光譜范圍內(nèi)的硅光電二極管，并適用于該波段范圍內(nèi)的多種應(yīng)用，例如功率監(jiān)測、位置感應(yīng)、X射線與伽馬射線檢測等。除了多種標(biāo)準(zhǔn)品還可以提供定制，定制光電二極管可以聯(lián)系咨詢我們。
OSI Optoelectronics公司所開發(fā)的多種硅光電二極管有36種類型，以下列出其中的幾種光電二極管技術(shù)參數(shù)提供參考，分別為1064nmNd:YAG光電二極管、Nd:YAG光電二極管、雪崩光電二極管(APD)、背照式SMT光電二極管、反向散射光電探測器、藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管、放大器混合型探測器濾光片組合、位置傳感探測器、線性陣列光電二極管、紫外線增強(qiáng)99%QE光電二極管等等。
OSI 1064納米Nd:YAG光電二極管
Nd:YAG系列OSI硅光電探測器針對1064nm波長（Nd:YAG激光光源）進(jìn)行了優(yōu)化。它們具有低電容和快速響應(yīng)時(shí)間。由于其低噪聲和高響應(yīng)性，它們是測量低光強(qiáng)度的理想選擇，例如測距應(yīng)用中由Nd:YAG激光束照射物體反射的光。
OSI硅光電探測器既可以在光伏模式（無偏置）下運(yùn)行，適用于對低噪聲有要求的應(yīng)用場景，也可以在光電導(dǎo)模式下偏置運(yùn)行，適用于高速應(yīng)用。
| 型號 | 有效面積 | 峰值波長 | 響應(yīng)度 | 暗電流 | 電容 | 封裝 |
| PIN-5-YAG | 5.1mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 10nA | 5pF | TO-5 |
| PIN-100-YAG | 100mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 80nA | 25pF | Metal |
| SPOT-9-YAG | 19.6mm2 | 1000nm | 0.4A/W | 12nA | 7pF | Metal |
| SPOT-11-YAG-FL | 26mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 14nA | 12pF | Metal |
| SPOT-13-YAG-FL | 33.7mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 16nA | 14pF | Metal |
| SPOT-15-YAG | 38.5mm2 | 1000nm | 0.42A/W | 50nA | 15pF | Metal |
雪崩光電二極管
硅雪崩光電二極管利用內(nèi)部倍增效應(yīng)，通過碰撞電離實(shí)現(xiàn)增益。其結(jié)果是一系列優(yōu)化的高響應(yīng)度器件，表現(xiàn)出優(yōu)異的靈敏度。OSI提供多種尺寸的OSI光電二極管，適用于光纖應(yīng)用，這些OSI Optoelectronics硅光電二極管可配備平面窗口或球形透鏡。
| 型號 | 有效面積直徑 | 增益 | 靈敏度@增益M | 暗電流@增益M | 電容 | 封裝 |
| APD02-8-150-xxxx | 0.2mm | 100 | 50A/W | 0.05nA | 1.5pF | T-52 |
| APD05-8-150-xxxx | 0.5mm | 100 | 50A/W | 0.1nA | 3pF | T-52 |
| APD10-8-150-xxxx | 1mm | 100 | 50A/W | 0.2nA | 6pF | T-52 |
| APD15-8-150-xxxx | 1.5mm | 100 | 50A/W | 0.5nA | 10pF | TO-5 |
| APD30-8-150-xxxx | 3mm | 60 | 30A/W | 1nA | 40pF | TO-5 |
| APD50-8-150-xxxx | 5mm | 40 | 20A/W | 3nA | 105pF | TO-8 |
藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管
硅藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管用于需要高靈敏度和中等響應(yīng)速度的應(yīng)用，藍(lán)色增強(qiáng)光電二極管系列在可見光藍(lán)色區(qū)域增加了額外的靈敏度。光譜響應(yīng)范圍從350到1100納米，使得常規(guī)光伏器件非常適合可見光和近紅外應(yīng)用。這些OSI Optoelectronics硅光電二極管具有高分流電阻和低噪聲，并具有長期穩(wěn)定性。在直流或低速應(yīng)用中，這些OSI光電二極管的無偏差運(yùn)行可在較大的溫度變化下保持穩(wěn)定。對于高光強(qiáng)(大于10mW/cm2)情況，應(yīng)考慮使用光導(dǎo)系列探測器以獲得更好的線性度。
| 型號 | 有效面積 | 靈敏度 | 分流阻抗 | 上升時(shí)間 | 電容 | 封裝 |
| OSD1-5T | 1mm2 | 0.21A/W | 250GΩ | 7ns | 35pF | TO-18 |
| OSD3-5T | 3mm2 | 0.21A/W | 100GΩ | 9ns | 80pF | TO-18 |
| OSD5-5T | 5mm2 | 0.21A/W | 100GΩ | 9ns | 130pF | TO-5 |
| OSD15-5T | 15mm2 | 0.21A/W | 50GΩ | 12ns | 390pF | TO-5 |
| OSD60-5T | 62mm2 | 0.21A/W | 3GΩ | 30ns | 1800pF | TO-8 |
| OSD100-5TA | 100mm2 | 0.21A/W | 2 GΩ | 45ns | 2500pF | Special |
| PIN-040DP/SB | 0.81mm2 | 0.20A/W | 600GΩ | 0.02ns | 60pF | TO-18 |
| PIN-040DP/SB | 5.1mm2 | 0.20A/W | 150GΩ | 0.2ns | 450pF | TO-5 |
| PIN-10DP/SB | 100mm2 | 0.20A/W | 10GΩ | 2ns | 8800pF | BNC |
| PIN-10DPI/SB | 100mm2 | 0.20A/W | 10GΩ | 2ns | 8800pF | Metal |
| PIN- 220DP/SB | 200mm2 | 0.20A/W | 5GΩ | 2ns | 17000pF | Plastic |
OSI線性陣列光電二極管
線性陣列光電二極管由彼此相鄰放置的多個(gè)單元素光電二極管組成，在公共陰極基板上形成一維感測區(qū)域。它們可以同時(shí)測量一個(gè)或多個(gè)波長的移動光束它們具有低電串?dāng)_和相鄰元件之間的超高均勻性，從而實(shí)現(xiàn)非常高精度的測量。在需要大量探測器時(shí)，線性陣列提供了一種低成本的替代方案。OSI線性陣列光電二極管針對紫外、可見或近紅外范圍進(jìn)行了優(yōu)化。
線性陣列光電二極管可以工作在光導(dǎo)模式(反向偏置)以減少響應(yīng)時(shí)間，或者在光伏模式（無偏置）下用于低漂移應(yīng)用。A2V-16可以耦合到任何閃爍體晶體，用于測量電磁頻譜的X射線和伽馬射線區(qū)域中的高能光子此外，它們經(jīng)過機(jī)械設(shè)計(jì)，因此在需要超過16個(gè)元件的應(yīng)用中，多個(gè)A2V-16可以首尾相連地安裝在一起。
| 型號 | 每個(gè)元素有效面積直徑 | 元素?cái)?shù)量 | 間距 | 在1550nm響應(yīng)率 | 電容 |
| A2V-16 | 75µm | 16 | 1.59mm | 0.60A/W | 170pF |
| A5C-35 | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.65A/W | 12pF |
| A5V-35 | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.60A/W | 340pF |
| A5V-35UV | 75µm | 35 | 0.99mm | 0.06A/W@254nm | 340pF |
| A5C-38 | 75µm | 38 | 0.99mm | 0.65A/W | 12pF |
| A5V-38 | 75µm | 38 | 0.99mm | 0.60A/W | 340pF |
| A2V-76 | 75µm | 76 | 0.31mm | 0.50A/W | 160pF |
紫外線增強(qiáng)99%QE光電二極管
OSI光電提供兩種不同的紫外線增強(qiáng)硅光電二極管系列。反轉(zhuǎn)通道系列和平面擴(kuò)散系列。這兩個(gè)系列的器件都是專為電磁波譜紫外區(qū)的低噪聲檢測而設(shè)計(jì)的。
反轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu)UV增強(qiáng)光電二極管表現(xiàn)出99%的內(nèi)部量子效率，非常適合低強(qiáng)度光的測量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。當(dāng)施加5至10伏反向偏壓，整個(gè)表面的響應(yīng)均勻性和量子效率提高。在光伏模式(無偏置)下，電容高于擴(kuò)散設(shè)備，但隨著反向偏壓的施加會迅速下降。與擴(kuò)散器件相比，反轉(zhuǎn)層器件的光電流非線性設(shè)置在較低的光電流下。在700nm以下，它們的響應(yīng)度隨溫度變化不大。
| 型號 | 有效面積 | 靈敏度@254nm | 分流電阻 | 電容 | 封裝 |
| UV-005 | 5.1mm2 | 0.14A/W | 200MΩ | 300pF | TO-5 |
| UV-015 | 15mm2 | 0.14A/W | 100MΩ | 800pF | TO-5 |
| UV-20 | 20mm2 | 0.14A/W | 50MΩ | 1000pF | TO-8 |
| UV-35 | 35mm2 | 0.14A/W | 30MΩ | 1600pF | TO-8 |
| UV-35P | 35mm2 | 0.14A/W | 30MΩ | 1600pF | Plastic |
| UV-50 | 50mm2 | 0.14A/W | 20MΩ | 2500pF | BNC |
| UV-100 | 100mm2 | 0.14A/W | 10MΩ | 4500pF | BNC |
| UV-100L | 100mm2 | 0.14A/W | 10MΩ | 4500pF | Low Profile |
紫外增強(qiáng)近紅外抑制光電二極管
OSI系列平面擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的紫外增強(qiáng)型光電二極管與反轉(zhuǎn)層器件相比顯示出顯著優(yōu)勢，如更低的電容和更高的響應(yīng)時(shí)間。與反轉(zhuǎn)層器件相比，這些器件表現(xiàn)出高達(dá)更高的光輸入功率的光電流線性。他們相較于反轉(zhuǎn)層器件具有相對較低的響應(yīng)度和量子效率。目前有兩種平面擴(kuò)散紫外增強(qiáng)型光電二極管可供選擇，UVDQ系列和UVEQ系列。這兩個(gè)系列在電光特性上幾乎相同，但UVEQ系列中，設(shè)備對近紅外區(qū)域的響應(yīng)被抑制。如果需要阻擋光譜中的近紅外區(qū)域，這一點(diǎn)尤其可取。
| 型號 | 有效面積 | 峰值波長 | 分流電阻 | 反向電壓 | 封裝 |
| UV-005EQ | 5.7mm2 | 720nm | 20GΩ | 140V | TO-5 |
| UV-005EQC | 5.7mm2 | 720nm | 20GΩ | 140V | Ceramic |
| UV-013EQ | 13mm2 | 720nm | 10GΩ | 280V | TO-5 |
| UV-035EQ | 34mm2 | 720nm | 5GΩ | 800V | TO-8 |
| UV-035EQC | 34mm2 | 720nm | 5GΩ | 800V | Ceramic |
| UV-100EQ | 100mm2 | 720nm | 2GΩ | 2500V | BNC |
| UV-100EQC | 100mm2 | 720nm | 2GΩ | 2500V | Ceramic |
