反應離子刻蝕
Reactive Ion Etching - RIE
Etchlab 200 是 SENTECH 開發(fā)的高性價比刻蝕機，采用平行板電極設計和直接載片方式。 操作簡單和快速的樣品加載是設備的主要特點，從零散碎片到直徑為 200 mm 的晶圓可直接加載到電極或載片盤上。靈活性、模塊性和占地面積小是該設備的優(yōu)點。位于頂部電極和反應腔體的診斷窗口能方便地集成 SENTECH 激光干涉儀或 OES 和 RGA 系統(tǒng)。腔體側(cè)面的橢偏儀端口可用于 SENTECH 原位橢偏儀進行原位檢測。可刻蝕的材料包括但不限于硅和硅化合物、化合物半導體、介質(zhì)和金屬。
升級預真空室
設備主要特點
● 低成本效益高：Etchlab 200 反應離子蝕刻機臺結合了平行板等離子體設計與直接置片，操作簡單方便，性價比高。
● 升級擴展性：基于模塊化設計，等離子蝕刻機 Etchlab 200 可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。
● SENTECH控制軟件：該等離子刻蝕機配備了用戶友好的強大軟件，具有模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理，使用遠程現(xiàn)場總線技術和用戶友好的通用用戶界面。
應用展示
介質(zhì)刻蝕
Etchlab 200
● RIE 等離子蝕刻機
● 開蓋設計
● 適用于 200 mm 的晶片
● 用于激光干涉儀和 OES 的診斷窗口
● 選配橢偏儀接口
帶預真空室的 Etchlab 200
● 帶預真空室的 RIE 刻蝕機
● 適用于 4 到 8 英寸的晶片
● 小片或碎片的載片器
● 氯基刻蝕氣體
● 更大的真空泵組
Etchlab 200 - 300
● RIE 等離子蝕刻機
● 開蓋設計
● 適用于 300 mm 的晶片
● 用于激光干涉儀和 OES 的診斷窗口
