DRT系列IGBT驅(qū)動變壓器系我公司為驅(qū)動IGBT和MOSFET而專門研制的產(chǎn)品，以新型材料作為磁芯，可滿足多項(xiàng)應(yīng)用要求。

 一．產(chǎn)品特點(diǎn)：

① 耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；

② 漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；

③ 無開關(guān)延時、瞬時傳輸功率高；

④ 抗電強(qiáng)度高，安全可靠；

⑤ 全封閉，機(jī)械和耐環(huán)境性能好；

⑥ 體積小巧，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。

    二．使用條件：

    ① 環(huán)境溫度：-40℃~+85℃；

    ② 相對濕度：溫度為40℃時不大于90%；

    ③ 大氣壓力：860~1060mbar(約為650~800mmHg)。

  三．絕緣耐熱等級：B級(130℃)

    四．安全特性：

    ① 絕緣電阻：常態(tài)時大于1000MΩ；

    ② 阻燃性：符合UL94-V0級。

五．DRT系列驅(qū)動變壓器各型號典型特性對比表：

說明：

    ① 上表中所給出的參數(shù)是在室溫下測得的典型值。

    ② 各參數(shù)的意義：

    u—變比=Ⅰ：Ⅱ：Ⅲ

    V_P—各繞組之間施加的抗電強(qiáng)度試驗(yàn)電壓之有效值，持續(xù)時間60s

    ∫udt—額定伏微秒積≈V₁·t_n(在一定頻率范圍內(nèi)其值基本不變)

    L_P—線圈初級電感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感(將次級繞組短路后測量) f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布電容   f=1000Hz  V=1V

    六．選型指南：

    ① 首先根據(jù)系統(tǒng)的工作電壓V。(有效值)來確定所需的抗電強(qiáng)度Vp，可按表1推薦選擇：

    表1：

 ② 根據(jù)控制級電源電壓和IGBT需要的驅(qū)動電壓選擇變比。

    例如：若初級脈沖幅值為15V，為了使IGBT可靠驅(qū)動，則需要選擇變比為1:1的驅(qū)動變壓器，如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初級脈沖幅值為24-30V，為了使IGBT可靠驅(qū)動，則需要選擇變比為2:1的驅(qū)動變壓器，如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。

    ③ 根據(jù)伏微秒積(∫udt)及驅(qū)動脈沖的頻率(fp)，按已知驅(qū)動脈沖的伏微秒積應(yīng)小于等于該頻率范圍內(nèi)DRT驅(qū)動變壓器的額定伏微秒積的原則選型。

    例如：若調(diào)制脈沖的頻率為20kHz，脈沖幅度為15V，脈寬為20μs，則其伏微秒積∫udt=15×20=300 μVs，按已知驅(qū)動脈沖的伏微秒積應(yīng)小于等于該頻率范圍內(nèi)DRT驅(qū)動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT802系列產(chǎn)品。若調(diào)制脈沖的頻率為50kHz，脈沖幅度為24V，脈寬為10μs，則其伏微秒積∫udt=24×10=240μVs，按已知驅(qū)動脈沖的伏微秒積應(yīng)小于等于該頻率范圍內(nèi)DRT驅(qū)動變壓器的額定伏微秒積的原則選型，可選DRT801系列產(chǎn)品。

    七．使用指南：

    ① 典型應(yīng)用電路：

 ② 說明：

    ⅰ．R₁、D₁主要起續(xù)流作用。D₁一般可選1N4007，R₁可選1kΩ~2 kΩ；

    ⅱ．D₂、D₃，R₂、R₃主要起整形和防止IGBT柵極開路并提供放電回路。D₂、D₃可選用加速二極管，用以提高IGBT的開關(guān)速度，R₂、R₃可選幾十歐姆~幾百歐姆。

    ⅲ．D₄、D₅主要起限制加在IGBT(g-e)端的電壓作用，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。

    ⅳ．驅(qū)動變壓器的使用頻率可以在幾kHz ~幾十kHz之間。

    八．DRT系列IGBT驅(qū)動變壓器的各參數(shù)意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術(shù)參數(shù)(典型值)

    ① 各參數(shù)的意義：

    u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    V_P—各繞組之間施加的抗電強(qiáng)度試驗(yàn)電壓之有效值，持續(xù)時間60s。

    ∫udt—額定伏微秒積≈V₁·t_n(在一定頻率范圍內(nèi)其值基本不變)。

    V₁—輸入脈沖幅度(初級脈沖電壓)。

    t_n—在相應(yīng)的V₁和f_P下驅(qū)動變壓器的額定傳輸脈寬。

    V₂—輸出脈沖幅度(次級脈沖幅度)。

    R_L—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。

    L_P—線圈初級電感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感(將次級繞組短路后測量) f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布電容   f=1000Hz  V=1V