概述
產(chǎn)品參數(shù)
1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒
HR模式下可實(shí)現(xiàn)高分辨觀察（半內(nèi)透鏡）
FF模式下可實(shí)現(xiàn)高精度加工終點(diǎn)檢測(cè)（Timesharing Mode）
2. 高通量加工
可通過(guò)高電流密度FIB實(shí)現(xiàn)快速加工（束流100nA）
用戶可根據(jù)自身需求設(shè)定加工步驟
3. Micro Sampling System*3
運(yùn)用ACE技術(shù)（加工位置調(diào)整）抑制Curtaining效應(yīng)
控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品
4. 實(shí)現(xiàn)低損傷加工的Triple Beam System*3
采用低加速（Ar/Xe）離子束，實(shí)現(xiàn)低損傷加工
去除鎵污染
5. 樣品倉(cāng)與樣品臺(tái)適用于各種樣品分析
多接口樣品倉(cāng)（大小接口）
超大防振樣品臺(tái)（150 mm□）
*3
選配
產(chǎn)品參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| FIB | 二次電子像分辨率（C.P） | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速電壓 | 0.5 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 0.05 pA – 100 nA | |
| 離子源 | GA液體金屬離子源 | |
| SEM | 二次電子像分辨率（C.P） | 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
| 加速電壓 | 0.1 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 5 pA – 10 nA | |
| 電子槍 | 冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射電子槍 | |
| 標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器 | In-Column二次電子探測(cè)器 SE（U） In-Column背散射電子探測(cè)器 BSE（U） In-Column背散射電子探測(cè)器 BSE（L） Chamber二次電子探測(cè)器 SE（L） | |
| 驅(qū)動(dòng)范圍 （5軸反饋控制） | X | 155 mm |
| Y | 155 mm | |
| Z | 16.5 mm | |
| R | 0 - 360° 旋轉(zhuǎn) | |
| T | -10～59° | |
| 樣品尺寸 | 直徑 150 mm | |
| 選配 | Ar/Xe離子束系統(tǒng) Micro Sampling System 氣體注入系統(tǒng)（雙室或三室貯氣筒）
連續(xù)自動(dòng)加工軟件 連續(xù)A-TEM2 各種樣品桿 EDS（能譜儀） EBSD（電子背散射衍射） | |
