介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷的一項重要的物理性質。LDJD-B介電常數(shù)測定儀 介質損耗 Q表通過測定介質損耗角正切(tanδ)及介電常數(shù)(ε)可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)。
試驗原理
按照物質電結構的觀點，任何物質都是由不同性的電荷構成，而在電介質中存在原子、分子和離子等。當固體電介質置于電場中后，固有偶極子和感應偶極子會沿電場方向排列，結果使電介質表面產生等量異號的電荷，即整個介質顯示出一定的極性，這個過程稱為極化。極化過程可分為位移極化、轉向極化、空間電荷極化以及熱離子極化。對于不同的材料、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同。
介電系數(shù)是電介質的一個重要性能指標。在絕緣技術中，特別是選擇絕緣材料或介質儲能材料時，都需要考查電介質的介電系數(shù)。此外，由于介電系數(shù)取決于極化，而極化又取決于電介質的分子結構和分子運動的形式。所以，通過介電常數(shù)隨電場強度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究還可以推斷絕緣材料的分子結構。
陶瓷等介質在電場作用下由于漏導、極化等各種因素造成電能損耗而轉成熱能散失的現(xiàn)象，稱為介質損耗。絕緣材料中，介質損耗的大小通常用介質損耗角正切(tanδ)來表示。
介電常數(shù)(ε)的意義則是由某一電介質組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量C與同樣大小的介質為真空的電容器的電容量C。之比值，即e=C/Co。介質損耗對于用在高壓裝置、高頻設備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義。介質損耗過大，不僅降低整機的性能，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。
裝置瓷的介電常數(shù)太大，會導致產生不必要的雜散電容，影響整機的質量。而電容器陶瓷則需要高的介電常數(shù)以使器件重量輕、體積小、電容量大。
介質損耗角正切及介電常數(shù)的測定，主要用電橋或諧振電路的原理進行。LDJD-B介電常數(shù)儀是常用來測量tanδ和ε的儀器。它由高頻振蕩器、高頻信號監(jiān)視裝置、測試回路、真空管伏特計及電源等部分組成。
Q表工作原理
基于Q表的諧振法原理，利用串聯(lián)或并聯(lián)法(即把被測元件接入電感端或電容端)能用Q表測量電感線圈的Q值、電感量、電容的有效電容、分布電感、介質損耗和介電常數(shù)等性能數(shù)據(jù)。
LDJD系列介電常數(shù)及介質損耗測試儀
試驗儀器
LDJD-B介電常數(shù)測定儀 介質損耗 Q表裝置見上圖。
（1）頻率范圍及刻度誤差
范圍：10kHz～110MHz，精度3×10-5 ±1個字，6位有效數(shù)字，采樣精度11BIT；
Q值測量范圍：1～1000自動/手動量程；Q值分辨率0.1，4位有效數(shù)字；Q值測量工作誤差＜5%；
電感測量范圍及誤差：1nH～8.4H，分辨率0.1nH，測量誤差＜3%，自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能；
材料測試厚度：0.1mm~10mm（薄膜類試樣可采取多層貼合的方式）
試樣尺寸：φ38mm或φ50mm
測試夾具
注意事項
(1)陶瓷材料圓片形試樣的尺寸[φ=(38±1)mm，d=(2士0.5)mm]要符合公差要求，兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術條件；
(2)電壓或頻率的劇烈波動常使電橋不能達到良好的平衡，所以測定時，電壓或頻率要求穩(wěn)定，電壓變動不得大于1%，頻率變動不得大于0.5%；
(3)電極與試樣的接觸情況，tanδ測試結果有很大影響，因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻，而厚度適當；
(4)試樣吸濕后，測得的tanδ值增大，影響測量精度，應嚴格避免試樣吸潮。
