供應全新晶體三極管IRFP250N和IRFP260N，明佳達電子現(xiàn)貨優(yōu)勢熱賣中，歡迎與我們：
IRFP250N詳細參數(shù)：
FET 類型 | N 溝道 |
技術 | MOSFET（金屬氧化物） |
漏源電壓（Vdss） | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 30A（Tc） |
驅(qū)動電壓（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | 10V |
不同 Id 時的 Vgs（th）（zui大值） | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（zui大值） | 123nC |
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（zui大）@ Vgs | 10V |
Vgs（zui大值） | ±20V |
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（zui大值） | 2159pF |
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（zui大） @ Vds | 25V |
FET 功能 | - |
功率耗散（zui大值） | 214W（Tc） |
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（zui大值） | 75 毫歐 @ 18A，10V |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
安裝類型 | 通孔 |
供應商器件封裝 | TO-247AC |
封裝/外殼 | TO-247-3 |
IRFP260N規(guī)格：
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：50A（Tc）
驅(qū)動電壓（zui大 Rds On，zui小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（zui大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（zui大值）：234nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（zui大）@ Vgs：10V
Vgs（zui大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（zui大值）：4057pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（zui大） @ Vds：25V
FET 功能：-
功率耗散（zui大值）：300W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（zui大值）：40 毫歐 @ 28A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247AC
封裝/外殼：TO-247-3
