主要應(yīng)用
高分辨率帶電粒子譜測(cè)量。
特殊配置
特殊配置的帶電粒子探測(cè)器可應(yīng)特殊要求提供。
資料 +
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A系列宣傳冊(cè)
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A系列宣傳冊(cè)(A4)
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安裝布局 +
訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。
A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”;即硅晶片在其環(huán)上,沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。
B 背面的Microdot連接器。
C 背面的BNC連接器。
尺寸以毫米為單位。
對(duì)于1500或2000 mm深的探測(cè)器,在Y尺寸上增加1.5 mm。
探測(cè)器尺寸 (mm2)
W (標(biāo)稱)A型 B型 后Microdot C型 后BNC X Y X Y Z X Y Z 025 5.6 15.2 3.7 16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 050 8.0 15.2 3.7
16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 100 11.3 22.0 3.7
23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 150 13.8 22.0 3.7
23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 300 19.5 27.1 3.7
28.6 12.3 7.1 28.6 12.3 15.9 450 23.9 30.5 3.7
32.0 12.3
7.1 32.0 12.3
15.9 公差 ±0.5 ±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
訂購(gòu)信息 +
訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座
除非另有說(shuō)明,否則提供B安裝座。
**型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)時(shí),241Am,5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。
§需要特殊訂單。
注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 1000 µm α β 型號(hào). 25 13
146
6A-013-025-1000
A-014-025-1000
50 14
157
8A-014-050-1000
A-015-050-1000
100 14
157
8A-
A-
150 15
169
10A-
A-
300 17
1813
14A-
A-
450 18
1913
14A-
A-
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 1500 µm§
α β 型號(hào). 25 14
169
11A-014-025-1500
A-016-025-150050 16
1811
13A-016-050-1500
A-018-050-1500
100 17
1912
14A-
A-
150 18
2013
15A-
A-
300 20
2315
18A-
A-
450 21
2616
21A-
A-
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 2000 µm§ α β 型號(hào). 25 16 11 A-016-025-2000 50 17 12 A-017-050-2000
100 18 13 A-
150 19 14 A-
300 22 17 A-