技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度1000A
輻射Vth靈敏度
輻射場(chǎng) = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad
輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
（靈敏度在 30 krad（H2O），在以下讀寫(xiě)器的配置中使用一個(gè)恒量10µA）
輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
（靈敏度在 30 krad（H2O），在以下讀寫(xiě)器的配置中使用一個(gè)恒量10µA）
溫度補(bǔ)償
TVTC 2.5mV/°C
（該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值）
（該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值）
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值 ~ 3µA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值 ~ 30µA
（使用以下讀寫(xiě)器電路配置）
（使用以下讀寫(xiě)器電路配置）
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)
閾值電壓（外推）-2.15 +/- 0.1V
Vth漂移時(shí)間（秒）2.2mV/十年
（該數(shù)據(jù)出自讀寫(xiě)器配置強(qiáng)迫40µA.）
（該數(shù)據(jù)出自讀寫(xiě)器配置強(qiáng)迫40µA.）
氧化層擊穿電壓 ~ 75V
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA
亞閾值斜率100 +/- 20 mV/十年
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms
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