CYG502的壓力敏感元件采用當(dāng)代的MEMS(Miro Electronic Machinical Systems)技術(shù)設(shè)計(jì)與制造。三維集成、雙面加工的硅壓阻壓力敏感元件具有優(yōu)秀的線性精度。離子注入、精細(xì)光刻技術(shù)制作的惠斯頓應(yīng)變電橋的高度*性使其具有很小的溫度漂移。采用硅硅直接鍵合技術(shù)、倒V型槽設(shè)計(jì)、從而實(shí)現(xiàn)了可利用芯片薄膜尺寸的*化,為超微型傳感器的實(shí)現(xiàn)取得關(guān)鍵突破。
使用了硅–硅鍵合技術(shù),改善了熱匹配效果,減少了應(yīng)力帶來(lái)的零位不穩(wěn)定性。
目前已面市品種有絕壓型測(cè)量模式產(chǎn)品,表壓型正在研制中。
CYG502A絕壓型超微型壓力傳感器為探針形,標(biāo)準(zhǔn)外徑為Ф2.1mm、Ф2.6mm,傳感器的可選量程為50、100、160、250、400、600、1000、1600、2500、4000kPa壓力。
CYG502A絕壓傳感器用敏感元件正面承壓。因此,它僅適用于介質(zhì)為無(wú)腐蝕性,不導(dǎo)電性的干燥氣體。它有著相當(dāng)寬的工作溫區(qū),可達(dá)-55℃~+125℃,也有著非常優(yōu)秀的高頻動(dòng)態(tài)特性,其zui低量程的敏感元件的固有頻率>200kHz,上升時(shí)間為亞微秒。