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摘要近日,上海交通大學(xué)集成電路學(xué)院臧法珩團(tuán)隊(duì)在Advanced Functional Materials發(fā)表集成納米間隙的納米環(huán)光學(xué)天線晶圓級制造新進(jìn)展。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日,上海交通大學(xué)集成電路學(xué)院微米納米加工技術(shù)國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室臧法珩副教授團(tuán)隊(duì)在納米制造領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,相關(guān)成果以“Narrow-Gap-Integrated Ring Arrays (GRA) as Ultrahigh Field-Enhancement Optical Resonators”(基于窄間隙集成環(huán)形陣列的超高場增強(qiáng)光學(xué)諧振腔)為題,在國際著名期刊《Advanced Functional Materials》上發(fā)表(Adv. Funct. Mater. 2025, 35, 2417739)。
 
  研究背景
 
  納米光子學(xué)器件的靈敏度高且信號讀取方式靈活,正在被越來越多地應(yīng)用于高性能生物傳感領(lǐng)域。其中,納米等離子體光學(xué)器件在光學(xué)諧振條件下產(chǎn)生局部高場強(qiáng)“熱點(diǎn)”區(qū)域,提高了光場能量與生物/化學(xué)目標(biāo)分子的相互作用效率,是近年來納米光學(xué)生物傳感器的研究熱點(diǎn)之一。而納米環(huán)作為等離子體光學(xué)器件的一種典型結(jié)構(gòu),以其鋪展式的表面光譜增強(qiáng)區(qū)域、自聚焦性的表面光學(xué)輻射模式和可調(diào)節(jié)式的電場熱點(diǎn)空間分布等特性,已經(jīng)成為了一種備受青睞的光學(xué)生物傳感結(jié)構(gòu)。然而,傳統(tǒng)納米環(huán)結(jié)構(gòu)的電場增強(qiáng)因子相對有限,難以進(jìn)一步提升傳感器的靈敏度。為改善該問題,分裂環(huán)、納米環(huán)對和多層納米環(huán)等創(chuàng)新設(shè)計(jì)概念提出將間隙結(jié)構(gòu)結(jié)合到傳統(tǒng)納米環(huán)中,已被證明可以將場增強(qiáng)因子顯著提高兩個數(shù)量級。因此,如何通過低成本、大面積、過程可控的工藝路線實(shí)現(xiàn)納米環(huán)形和納米間隙結(jié)構(gòu)的一體化制造具有重要的研究意義。
 
  亮點(diǎn)內(nèi)容
 
  該研究提出了一種具有多波長共振特性的三維納米光學(xué)天線陣列,以薄膜微納加工實(shí)現(xiàn)≤10納米線寬特征結(jié)構(gòu),用于高靈敏度生物傳感和熒光成像增強(qiáng)。該納米天線陣列融合納米環(huán)和納米間隙三維結(jié)構(gòu)特征,實(shí)現(xiàn)電場場強(qiáng)幅值和分布區(qū)域的同步提升。其核心納米制造方法基于金屬濺射和離子束刻蝕,適用于低成本批量制造特征尺寸在10nm以下的納米結(jié)構(gòu)間隙,而不依賴于電子束光刻或掃描探針光刻等高成本納米圖案化工藝。
 
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窄間隙集成環(huán)形陣列樣品SEM圖、測試光譜圖及電場仿真圖
 
  傳統(tǒng)納米環(huán)結(jié)構(gòu)具有兩種光學(xué)共振模式,短波長共振峰對應(yīng)于反對稱偶極子模式,電場增強(qiáng)區(qū)域集中在環(huán)內(nèi)部。長波長共振峰對應(yīng)于偶極子模式,納米環(huán)外產(chǎn)生電場增強(qiáng)因子為700左右的電場區(qū)域。窄間隙集成環(huán)形陣列的測試光譜顯示其保持了雙共振峰的優(yōu)點(diǎn),并且環(huán)間的亞10nm尺度的納米間隙實(shí)現(xiàn)了5.88×104量級的電場增強(qiáng)幅度(比傳統(tǒng)納米環(huán)高100倍)。
 
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雙層納米環(huán)陣列SEM圖、測試光譜圖及電場仿真圖
 
  由于SiO2介質(zhì)層的引入,雙層納米環(huán)在近紅外波段產(chǎn)生了新的共振模式,其共振峰的振幅表現(xiàn)出跟介質(zhì)層厚度的相關(guān)性,并且隨著SiO2層厚度的增加而表現(xiàn)出藍(lán)移。與單層環(huán)相比,雙層納米環(huán)可見光的消光率顯著提高。為了驗(yàn)證熒光增強(qiáng)能力,熒光分子標(biāo)記的抗體被化學(xué)交聯(lián)劑附著固定在雙層納米環(huán)表面,形成均勻的熒光團(tuán)層。相比于普通平面金襯底表面,納米環(huán)陣列將表面熒光強(qiáng)度提高了140倍左右。這項(xiàng)工作為納米級光學(xué)結(jié)構(gòu)制造提供了一種全新的批量化、高精度制造方法。運(yùn)用該方法實(shí)現(xiàn)的三維納米天線結(jié)構(gòu)在可見光和近紅外的寬光譜范圍內(nèi)同時表現(xiàn)出與其納米結(jié)構(gòu)形態(tài)相耦合的可調(diào)控光學(xué)共振特征。本項(xiàng)研究中的全新納米光學(xué)結(jié)構(gòu),將被集成于下一代高靈敏度生物傳感和熒光成像系統(tǒng);研究中開發(fā)的亞10nm納米結(jié)構(gòu)制造新方法,更可被廣泛地用于納米級光學(xué)、電學(xué)新器件的高精度批量制造。
 
  研究團(tuán)隊(duì)
 
  集成電路學(xué)院博士研究生王夢誠為該論文的第一作者,集成電路學(xué)院臧法珩副教授和未來技術(shù)學(xué)院宿智娟助理研究員為該論文的共同通訊作者,該工作得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、上海市浦江人才、上海交大深藍(lán)計(jì)劃基金等項(xiàng)目資助。

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