【儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日，中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院固體物理研究所高分子與復合材料研究部與丹麥奧胡斯大學、挪威科學技術(shù)大學等合作，通過選擇合適的硅烷偶聯(lián)劑結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)從分子水平上調(diào)控復合材料導熱性能，并進一步探究其調(diào)控機理。相關(guān)研究成果以Covalent coupling regulated thermal conductivity of poly(vinyl alcohol)/boron nitride composite film based on silane molecular structure為題，發(fā)表在Composites Part A：Applied Science and Manufacturing上。
 

　　隨著電子產(chǎn)品朝著微型化、多功能化方向發(fā)展，其集成化程度迅速升高，功率密度大幅增加，由此帶來的散熱困難影響器件的工作穩(wěn)定性和壽命。目前，高分子材料在電子封裝材料中占據(jù)主導地位，一般高分子材料都是熱的不良導體，開發(fā)高導熱的高分子熱管理材料成為亟待解決的問題。向高分子材料中添加高導熱組元是提高復合材料導熱性能的常用方法之一。然而，熱載體聲子容易被導熱組元和高分子界面散射，限制了熱量傳遞效率。高分子/導熱組元界面成為熱量傳遞的薄弱環(huán)節(jié)，成為制約復合材料導熱性能提升的重要因素。通過共價鍵鏈接高分子/導熱組元界面為增強熱傳導的常用方法，一般可有效降低界面熱阻。但引入共價鍵分子自身會帶來一定熱阻，也有報道某些情況下會降低復合材料熱導率。
 

　　為了闡明共價鍵結(jié)構(gòu)對復合材料導熱性能的影響，以指導高導熱復合材料設計，研究團隊通過硅烷偶聯(lián)劑共價連接聚乙烯醇(PVA)和羥基改性氮化硼fBN制備復合材料。通過對比正硅酸乙酯(TEOS)，乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)，3-縮水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)三種硅烷偶聯(lián)劑，發(fā)現(xiàn)TEOS和VTES，通過水解形成Si-OH，并進一步與PVA和fBN反應，形成共價鍵。然而TEOS因可水解生成更多的Si-OH(4個)，相比于VTES(3個Si-OH)，更傾向于發(fā)生自縮聚反應。由于側(cè)鏈較長，GPTMS更傾向側(cè)鏈環(huán)氧基團開環(huán)后與PVA和fBN作用，反應活性點相對較少，共價鏈接作用較弱。
 

　　通過系統(tǒng)研究硅烷偶聯(lián)劑對PVA/fBN復合材料的導熱性能影響發(fā)現(xiàn)，隨著TEOS和VTES含量的增加，復合材料導熱性能逐步提升；GPTMS卻呈現(xiàn)出相反趨勢。對比實驗結(jié)果結(jié)合分子模擬驗證發(fā)現(xiàn)，增加硅烷偶聯(lián)劑分子中可水解的Si-OR數(shù)量，導致硅烷偶聯(lián)劑傾向于自縮聚，進而降低其鏈接PVA/fBN的效率，致使導熱性能提升效果下降。在導熱通路中引入長分子鏈，其自身熱阻作用大于因共價鏈接高分子/導熱組元而帶來的導熱提升作用。研究團隊利用紅外熱成像技術(shù)驗證了硅烷偶聯(lián)劑調(diào)控復合材料的熱傳遞性能效果。結(jié)果顯示PVA-VTES-fBN熱響應速度快，進一步證實了VTES具有改性效果。同時，通過對復合材料的LED裝置集成驗證發(fā)現(xiàn)，VTES較GPTMS在2分鐘內(nèi)可降低LED芯片中心點溫度0.7℃。
 

　　該研究通過選擇合適的硅烷偶聯(lián)劑結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)從分子水平上調(diào)控復合材料導熱性能，并對聚合物基熱管理材料的設計具有指導意義。合肥研究院副研究員宮藝和研究員田興友為論文的共同通訊作者，合肥研究院博士生程華和丹麥奧胡斯大學博士趙凱為論文的共同第一作者。研究工作得到國家重點研發(fā)計劃，中科院STS重點項目，中科院青年創(chuàng)新促進會，中科院合肥研究院院長基金和Research Council of Norway等的資助。