羅何燕
業(yè)務(wù)經(jīng)理
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FJ-2603G型單路α、β弱放射性測量裝置
FJ-2603G型單路α、β弱放射性測量裝置
產(chǎn)品用途
本儀器用于低水平環(huán)境樣品的放射性活度測量，可用于環(huán)境保護(hù)、食品、生物制品、飲用水及其它微弱α、β弱放射性樣品的活度測量，也可用于河流水底泥、、建材、土壤中的α、β放射性水平的監(jiān)測?？蓮V泛應(yīng)用于環(huán)境保護(hù)、核電站、地質(zhì)勘探、農(nóng)業(yè)、輻射防護(hù)、醫(yī)藥衛(wèi)生、考古等領(lǐng)域。該產(chǎn)品曾被評為部優(yōu)產(chǎn)品。
儀器特點：
FJ-2603G系列α、β弱放射性測量裝置，其探測單元是采用金硅面壘或PIPS半導(dǎo)體探測器，該產(chǎn)品的研制*，其各項性能指標(biāo)達(dá)到*儀器標(biāo)準(zhǔn)。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) GB/T 11682-2008。
儀器規(guī)格：
FJ-2603G系列單路α、β弱放射性測量裝置有金硅面壘單路（FJ-2603G）, 主探測器PIPS單路φ20，主探測器PIPSφ30（FJ-2603GZ）三種規(guī)格。
主要技術(shù)指標(biāo)：
儀器型號 | FJ-2603G | FJ-2603GX | FJ-2603GZ | ||
主探測器規(guī)格 | φ20 | φ20 | φ30 | ||
主探測器類型 | 金硅面壘型 半導(dǎo)體探測器 | PIPS離子注入 半導(dǎo)體探測器 | PIPS離子注入 半導(dǎo)體探測器 | ||
本底 (計數(shù)·cm-2min-1） | α | ≤0.0016 | ≤0.0016 | ≤0.0016 | |
β | ≤0.05 | ≤0.05 | ≤0.05 | ||
效率比 | α | ≥90% | ≥90% | ≥90% | |
β | ≥60% | ≥60% | ≥60% | ||
效率穩(wěn)定性 | α | ≤3% | ≤3% | ≤5% | |
β | ≤5% | ≤5% | ≤5% | ||
串道比 | α進(jìn)入β道 | ≤1% | ≤1% | ≤1% | |
β進(jìn)入α道 | 0 | 0 | 0 | ||
使用條件
供電電源： AC220V (-12%～+10%)
頻 率： 50Hz
主機(jī)功耗： 80W
尺寸和重量
儀器外形： 600mm×530mm×440mm
儀器重量： 約300kg
注：計算機(jī)為選配。
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