DH-350 PECVD等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備

本設(shè)備由我公司和*材料物理重點實驗室聯(lián)合研制，設(shè)備由沉積室、渦

輪分子泵抽氣系統(tǒng)、上下電極、氣路系統(tǒng)、射頻電源和溫控系統(tǒng)以及設(shè)備控制系統(tǒng)等。

　　主要用于制備氧化鋅納米線陣、太陽能薄膜電池、SiO2鈍化膜、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC等介電、半導體及金屬膜等。TKZM-20智能脈沖控制儀TKZM-14，DH-350 PECVD等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備

主要技術(shù)參數(shù)：TKZM-20智能脈沖控制儀TKZM-14，DH-350 PECVD等離子體增強化學氣相沉積設(shè)備

◆沉積室：Φ350mm×H400mm,立式前開門結(jié)構(gòu)，旁抽氣系統(tǒng)，腔體水冷；

◆基片臺尺寸：Φ100mm，旋轉(zhuǎn)加熱，室溫至600℃可調(diào)可控，溫差≤3℃；

◆基片臺運動：轉(zhuǎn)速0～20RPM/min、磁流體密封；

◆電源：射頻電源500W，13.560MHZ；配自動匹配器；

◆真空系統(tǒng)：分子泵高真空系統(tǒng)，從大氣抽到10-3Pa小于或等于20分鐘；

◆進氣系統(tǒng)：四路質(zhì)量流量計配混氣室；

◆極限真空：6.7×10-5Pa；高斯計特斯拉計

◆控制系統(tǒng)：手動控制抽真空；

◆電源電壓：AC 380V 50Hz；

◆報警及保護：對缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警及相應(yīng)保護措施。

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