孔令華
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當(dāng)前位置:深圳市易容信息技術(shù)有限公司>> AC耦合電容組裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化-電容式液位計
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更新時間:2018-05-15 17:17:20瀏覽次數(shù):410次
孔令華
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很多人都說,高速電路看著比普通的電路的電路結(jié)構(gòu)簡單,但是為什么都說很難,說這話的工程師可能還沒有深入的了解高速電路的特點。沒錯,在做低速電路的時候,總想著要做電路匹配等等,高速電路相對來講確實簡單,不是兩顆芯片中間加兩顆AC耦合電容直接相連,就是一顆芯片與連接器中間加兩顆AC耦合電容直接相連。但是不要看著結(jié)構(gòu)簡單,因為在高速電路中,電路已經(jīng)不是簡單的電路,電容也不是簡單的一顆電容啦,這一顆電容優(yōu)化不好,可能就會導(dǎo)致你整個高速電路設(shè)計失敗。
在高速串行鏈路中,為了讓工作在不同電壓下的發(fā)送器和接收器能夠連接(也許是為了不影響各自buffer模擬電路部分的靜態(tài)工作點),需要在通路中加入AC耦合電容,但是AC耦合電容自身和焊接電容的焊盤會給通路帶來阻抗的不連續(xù)性,這在設(shè)計中都需要仔細(xì)考慮。
以一個典型的通路作為實例案例來研究這個問題
當(dāng)信號傳到AC耦合電容處,由于焊盤的面積和電容兩端的引腳比較大,這個點的寄生電容必然很大,zui終在阻抗曲線TDR圖上對應(yīng)地顯示出阻抗偏小,進(jìn)而導(dǎo)致return loss變的很大。為了讓阻抗連續(xù),減小電路的容性,提高阻抗,通常采取在電容的下方隔層參考(挖空某些層),如下圖
接下來,我們將通過修改前后的電容結(jié)構(gòu)分別做3D電磁場仿真,對比其處理前后的阻抗、回波損耗以及插入損耗。
一、對比阻抗(TDR)
用前面3D電磁場仿真得到的S參數(shù)對這兩種電路做TDR分析:
1) 沒有處理時
2) 做隔層處理
可以看到未處理之前阻抗的不連續(xù)點很明顯,做隔層處理之后的阻抗改善很多,幾乎看不到任何的不連續(xù)了。
二、對比回?fù)p
1) 沒有處理時
2) 做隔層處理
隔層處理之后,無論是S11還是S22,都要比原來的改善很多,回波損耗在-30dB以下,這在實際的通路中的響應(yīng)降到zui低。從S22>S11可以看出靠近電容端的端口回?fù)p要大。
三、對比插損
1) 沒有處理時
2) 做隔層處理
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