4月11日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)合影。近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)，寫(xiě)入速度比目前U盤(pán)快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。

　　這一創(chuàng)新解決了半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫(xiě)入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。北京時(shí)間4月10日，相關(guān)成果在線發(fā)表于《自然·納米技術(shù)》雜志。

　　復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)成員劉春森在實(shí)驗(yàn)室,將硅片放入儀器,將清洗好的硅片放入容器內(nèi),在硅片上生長(zhǎng)金屬電極,在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行切割,進(jìn)行“電子束光刻”以及“定義圖形”,清洗硅片.