聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam

服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。

服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域

服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證              

          2.Cross-Section截面分析                

          3.Probing Pad                                 

          4.定點(diǎn)切割     

掃描電鏡（SEM）

服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。

服務(wù)范圍：，航天，半導(dǎo)體，*材料等

服務(wù)內(nèi)容：1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察  

          2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析

          3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析

          4.納米尺寸量測及標(biāo)示

          5.微區(qū)成分定性及定量分析

芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹，能夠依據(jù)、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作，開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù)，同時(shí)可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等