硅晶塊、晶片的電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜的測量方法

來源：北京中慧天誠科技有限公司 2025年06月17日 22:01

便攜式電阻率測試儀用于測量硅晶塊、晶片的電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻的儀器。

儀器按照半導體材料電阻率的測試方法要求。儀器是由電器測量部份（主機）及四探針頭組成，需要時可加配測試架。

儀器用一塊數(shù)字表測量電流及電阻率。樣品測試電流是由恒流源提供，可進行校準，儀器可用于分選材料及產(chǎn)品檢測。對1～100Ω·cm樣片的測量誤差＜±3%。

規(guī)格參數(shù)：

測量范圍：

測量電阻率：0.01～199.9Ω·cm

測方塊電阻：0.1～1999Ω/□

被測材料電阻率：≥200Ω·cm

數(shù)字表顯示：0.00

恒流源：

直流輸出電流：0.1mA～10mA分兩檔

0.1～1mA連續(xù)可調

1mA～10mA連續(xù)可調

恒流精度：±0.1%

直流數(shù)字電壓表

測量范圍：0～199.9mv

靈敏度：100μV

準確度：0.2%（±2個字）

供電電源：AC 220V ±10%，50z/60Hz

功率范圍：8W

相對濕度：≤80%

便攜式電阻率測試儀/方阻測試儀

型號：GDS/KDY-1A

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