日本CATS 替代 易恩柵電荷測(cè)試系統(tǒng)
ENS1040柵電荷測(cè)試系統(tǒng)
功能指標(biāo)
測(cè)量參數(shù) | 技術(shù)條件 |
開啟柵電荷QgOn | Id=1 to 100Amps |
存儲(chǔ)電荷Qgs | Vdd=5 to 95v |
平臺(tái)電荷Qgd | Vg=+/-1 to+/-19V |
平臺(tái)電壓PlateauVoltage | Ig=0.1 to 10ma Id@threshold=100 to 1000ua |
導(dǎo)通電阻RdsOn | Qg=0.5 to 500nc |
柵電阻Rg | Rds(0n)=0.001 to 2.0Ohms |
閾值電壓GateThresholdVotage | Gate/Drainwaveform Capture/storage |
主營(yíng)范圍:1.IGBT測(cè)試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 4.分立功率器件測(cè)試儀 5.可控硅整流器測(cè)試(儀) 6.MOS 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測(cè)試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測(cè)試(儀) 9.光電耦合器測(cè)試(儀) 11.繼電器測(cè)試(儀)