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雪崩能量測試儀

參考價訂貨量

1

≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時間2023-05-15
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 所在地區(qū)深圳市
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量53
  • 人氣值806
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深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數(shù)測試儀,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風力發(fā)電檢修用IGBT測試儀,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設備,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等;

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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制
雪崩能量測試儀 華科智源主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進行zui終的編輯和打印。
雪崩能量測試儀 產(chǎn)品詳情

雪崩能量測試儀功能指標:

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場效應管

EAR/重復脈沖雪崩能量

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA
2A~200A±3%±50mA


DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J
500J~2000J±3%±10J



PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)




感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、




重復間隙時間

1~60s可調(diào)(步進1s) 重復次數(shù):1~50次

雪崩能量測試儀測試模式

單脈沖松開電感的開關(UIS)

單脈沖雪崩應力(EAS)

重復性雪崩能量(EAR)

重復脈沖故障(RPF)


執(zhí)行的測試

連續(xù)性測試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測試

- 前,后的雪崩

功能設備測試

雪崩測試


特點

單路/雙路設備測試

N溝道,P溝道,混合

全固態(tài)切換 - 無需繼電器

更快的測試

電流范圍:0.1A至200A,0.1A步驟

雪崩電壓至2500V

觸摸屏程序進入/控制

波形捕獲/顯示

內(nèi)部測試程序存儲(20個文件)

高速電感充電,減少了測試時間

可編程漏電測試電壓

前置/后置雪崩泄漏測試

雪崩折疊測試

多功能測試處理器控制

15硬件排序箱

改進的電壓/電流精度

通過Flash下載軟件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制參數(shù)輸入密碼

使用所有ITC電感負載箱

接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF

內(nèi)置自我測試



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