射頻RF離子源采用ICP激發(fā)等離子體,內(nèi)置RF匹配與產(chǎn)生器,具有多種圓形口徑,直徑450mm。 可移動的離子源,自帶有射頻匹配器,特別適合于離子束拋光的應(yīng)用。
scia 射頻離子源 RF系列 | ||||||
型 號 | RF37-i/e | RF80-i | RF120-e | RF350-e | RF450-e | PI400-e |
離子束直徑 | Φ37mm | Φ80mm | Φ110mm | Φ350mm | Φ450mm | - |
激發(fā)機制 | ICP 等離子體激發(fā),內(nèi)置 RF 匹配與產(chǎn)生器 | |||||
300W, 13.56MHz | 600W, 13.56MHz | 1000W, 13.56MHz | 1000W, 4MHz | 2000W, 2MHz | 1000W, 4MHz | |
離子束流 | 65mA (25mA/cm2) | 150mA | 400mA (4mA/cm2) | 1000mA (1mA/cm2) | 2000mA (1mA/cm2) | - |
柵網(wǎng)系統(tǒng) | 3-grids | - | ||||
柵網(wǎng)材料 | 石墨/鉬(平面或球面) | 石墨/鉬 | 石墨/鉬 | 無 | ||
優(yōu)點 | 長工作時間免維護、高穩(wěn)定性 可聚焦、可內(nèi)置 | 長工作時間免維護、高穩(wěn)定性 可聚焦、可內(nèi)置 | 長工作時間免維護、高穩(wěn)定性、外置 | |||
應(yīng)用 | 離子束拋光 IBT/IBF
| 離子束拋光 IBT/IBF
| 離子束刻蝕 IBE/IBF 離子束濺射鍍膜IBD | 離子束刻蝕 IBE/IBM/RIBE/CAIBE 離子束濺射鍍膜IBD, 離子束清洗 | 等離子體 刻蝕、清洗 |