PMST系列半導(dǎo)體功率模塊測(cè)試系統(tǒng),是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能,還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求,確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的著越表現(xiàn)。
此外,普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠在整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時(shí),該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。從皮安級(jí)、mV級(jí)高精度源表到k安級(jí)、10kV源表,普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國產(chǎn)化問題,并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線,應(yīng)領(lǐng)了國內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)
0.1%精度測(cè)量
四線制測(cè)試
3、模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元
系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元
4、測(cè)試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試
5、軟件功能豐富
上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板,可直接調(diào)取使用
支持曲線繪制
自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導(dǎo)出
開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴(kuò)展性好
支持常溫及低溫、高溫測(cè)試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺(tái),溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用
硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)
1、大電流輸出響應(yīng)快,無過沖
采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測(cè)試過程中,大電流典型上升時(shí)間為15μs, 脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式,可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。
2、高壓測(cè)試支持恒壓限流,恒流限壓模式
采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測(cè)試中,可設(shè)定電流限制或者電壓限值,防止 器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。
半導(dǎo)體功率模塊測(cè)試系統(tǒng)訂貨信息