功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測試設(shè)備概述
PMDT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試,能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗,評估器件的安全工作區(qū),對器件和驅(qū)動(dòng)電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證,測量功率組件的雜散電感。設(shè)備既可以用于功率器件選型評估,又可以用于驅(qū)動(dòng)電路和功率母排的優(yōu)化設(shè)計(jì),能夠幫助用戶開發(fā)性能更優(yōu)化、工作更可靠的電力電子功率平臺。

高電壓達(dá)2000V(最大擴(kuò)展至8kV)
大電流達(dá)2000A(可擴(kuò)展至6000A)
低寄生電感設(shè)計(jì):<20nH寄生電感
安全防護(hù)機(jī)制:集成防爆、過流/過壓保護(hù)
全功能測試覆蓋:支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數(shù)
自動(dòng)化與智能化,負(fù)載電感自動(dòng)切換
溫度范圍廣:可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)
兼容多種封裝,可根據(jù)測試需求定制夾具
2000V/2000A雙脈沖測試動(dòng)態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測試參數(shù)
開通特性:開通延時(shí)時(shí)間td(on)、開通上升時(shí)間tr、開通時(shí)間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t 關(guān)斷特性:關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)、關(guān)斷上升時(shí)間tf、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、 關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t
反向恢復(fù)特性:反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、最大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id vs.t 短路特性:短路時(shí)間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc
柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t
反偏安全工作區(qū):關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t
測試夾具 針對市面上不同封裝類型的功率半導(dǎo)體,如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品,普賽斯提供整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試


功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測試設(shè)備組成
PMDT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要由雙脈沖信號發(fā)生器,高分辨率示波器,高壓電流探頭,高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動(dòng)化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測試驅(qū)動(dòng)板,可覆蓋開關(guān)參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等,單次測試即可完成開關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測試;具備數(shù)據(jù)管理功能,可實(shí)時(shí)保存測試結(jié)果及波形曲線,自動(dòng)生成測試報(bào)告