功能特點(diǎn)

高效清洗技術(shù)

濕法清洗：采用化學(xué)藥液（如HF、HNO?混合酸）配合超聲波、高壓噴淋等技術(shù)，去除晶圓表面顆粒、金屬污染及氧化物。

干法清洗：通過(guò)等離子體轟擊（如O?、Ar等離子）去除有機(jī)物和微觀顆粒，適用于對(duì)化學(xué)殘留敏感的制程。

兆聲波技術(shù)：高頻振動(dòng)產(chǎn)生空化效應(yīng)，剝離頑固顆粒，清洗精度達(dá)0.1μm以下。

精準(zhǔn)控制與均勻性

溫度/濃度監(jiān)控：PLC系統(tǒng)實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)藥液溫度（±0.1℃）、濃度，確保腐蝕均勻性（差異＜±1.5%）。

流體仿真設(shè)計(jì)：優(yōu)化噴淋路徑，避免局部過(guò)蝕或清洗不足，適配8-12英寸晶圓。

干燥與防污染技術(shù)

熱氮吹掃：高溫氮?dú)饪焖俑稍锞A，避免水漬殘留。

IPA蒸干：利用異丙醇低表面張力特性，實(shí)現(xiàn)干燥，防止氧化。

環(huán)保與安全性

廢液回收：通過(guò)蒸餾、離子交換技術(shù)再生化學(xué)液，回收率＞90%，降低耗材成本。

材料防腐：采用PFA、PVDF等耐腐蝕材料，避免設(shè)備自身污染晶圓。

智能化與自動(dòng)化

AI參數(shù)優(yōu)化：基于機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)污染類型，自動(dòng)調(diào)整清洗強(qiáng)度和時(shí)長(zhǎng)。

機(jī)械臂傳輸：全自動(dòng)上下料，避免人工接觸污染，支持單片或批式清洗。

應(yīng)用場(chǎng)景

光刻前清洗：去除硅片表面顆粒和氧化物，確保光刻精度。

蝕刻后處理：清除反應(yīng)產(chǎn)物（如聚合物、金屬膜），避免影響下一制程。

CMP后清洗：去除拋光液殘留，防止劃傷晶圓表面。

封裝前清潔：確保芯片鍵合面潔凈，提升封裝可靠性。

制程適配：支持45nm以下節(jié)點(diǎn)（如3DNAND、FinFET）的納米級(jí)污染控制需求。