下降式晶體生長爐

技術(shù)規(guī)格書

一·設(shè)備用途：

主要用于LED半導(dǎo)體、太陽能等工業(yè)晶體的提純、制備。

二·設(shè)備特點(diǎn)：

本設(shè)備采用一體化設(shè)計(jì)，立式鐘罩式結(jié)構(gòu)，爐膛材料采用優(yōu)質(zhì)的氧化鋁多晶纖維真空吸附制成，節(jié)能50%，爐體采用雙層爐殼結(jié)構(gòu)，雙層爐殼之間裝有風(fēng)機(jī)，可以快速升降溫，爐殼表面溫度低，**整潔大方。

三·主要技術(shù)參數(shù)

1.**使用溫度：1600℃

2.控溫區(qū)：兩區(qū)（一區(qū)高溫區(qū)，一區(qū)輔助加熱區(qū)）

3.功率：                          15Kw±10%單相

4.發(fā)熱材料：硅鉬棒（高溫區(qū)）電阻絲（輔助加熱區(qū)）

5.恒溫區(qū)間：200mm（高溫區(qū)）

6.爐膛內(nèi)徑：120mm

7.測溫系統(tǒng)：                   熱電偶

8.控溫精度：                   ±1℃

9.坩堝升降：位移行程 300mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

          快速升降50-200mm/min（伺服控制）

坩堝旋轉(zhuǎn)：坩堝轉(zhuǎn)速 1~50RPM

四、結(jié)構(gòu)組成

1、爐體及爐體升降機(jī)構(gòu)

2、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)

3、變壓器及聯(lián)接電纜

4、 溫控系統(tǒng)

五、結(jié)構(gòu)說明

1、爐體及爐體升降系統(tǒng)：爐體殼體采用優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板雙層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)，殼體顏色漆經(jīng)過高溫烘烤而成，經(jīng)久耐用，爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維材料，分兩區(qū)***控溫，高溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒為加熱元件，輔助溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)電阻絲為加熱元件，兩個(gè)溫區(qū)之間形成溫度梯度，從而保證晶體的正常生長，雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng)，能快速對(duì)溫控系統(tǒng)降溫；該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。爐體整體做成一個(gè)圓筒的罩式結(jié)構(gòu)，與固定在支架平臺(tái)上的爐底組成一個(gè)完整的爐膛，爐體配有一升降系統(tǒng)，可是爐體**升降，方便裝卸料。

2、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)：坩堝升降采用伺服控制，位移精度可達(dá)0.01毫米，控制精度高，它是由一套線性模組和伺服電機(jī)，減速機(jī)組成，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)由旋轉(zhuǎn)電機(jī)減速機(jī)組成，升降和旋轉(zhuǎn)安裝在同***臺(tái)上，組成一個(gè)完整的機(jī)構(gòu)，安裝在爐底中心位置，從而帶動(dòng)坩堝桿的升降與旋轉(zhuǎn)，坩堝桿的上部裝有一坩堝平臺(tái)，采用高溫陶瓷材料，經(jīng)久耐用。

3、溫控系統(tǒng)：電爐的溫度控制采用可控硅功率控制器＋低電壓大電流變壓器，可控硅功率控制器采用移相觸發(fā)方式來實(shí)現(xiàn)電壓的無級(jí)調(diào)節(jié)，從而達(dá)到自動(dòng)控制功率的目的。采用宇電50段溫控儀表，控溫精度高，可根據(jù)需要設(shè)定多段升溫曲線，從而達(dá)到自動(dòng)控制溫度的目的。功能強(qiáng)大，操作方便，具有超溫，上線***聲光**功能?？刂乒衩姘迳显O(shè)有液晶觸模屏，可顯示、設(shè)定坩堝升降速度，旋轉(zhuǎn)速度、位移等，直觀顯示系統(tǒng)各部件的工作狀態(tài)，并可實(shí)時(shí)顯示記錄工況爐內(nèi)的溫度。可顯示溫度、位移曲線，記錄保存數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)也可以刪除、導(dǎo)出。爐子的所有動(dòng)作都有一臺(tái)PLC來完成，控制精確自動(dòng)化程度高。

4、變壓器及聯(lián)接電纜：采用三相干式變壓器，聯(lián)接電纜采用銅排或軟電纜降低損耗，環(huán)保節(jié)能。