該項目面向半導體領域，重點針對MEMS器件、TSV封裝中高深寬比微結構的測量，解決各類型測量儀器設備的線寬、深度參數(shù)尺度無法統(tǒng)一、精度無法溯源問題，開展高深寬比微結構標準樣板的制備和溯源研究。
高深寬比微結構標準樣板將滿足技術方案各異、工作原理不同的高深寬比微溝槽、TSV高深寬比微孔槽無損測量儀器設備的精確校準需求，實現(xiàn)對深度、線寬等關鍵尺寸的科學溯源。
該科研項目致力于服務我國在半導體領域內自主研發(fā)的高深寬比微結構無損測量儀器在全球市場的技術準入，有助于破解半導體量測設備被國外廠商壟斷的不利局面，推動我國實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)自主健康發(fā)展。
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