三菱電機在剛結(jié)束的PCIM亞洲展上，展出新的碳化硅（SiC）功率模塊系列產(chǎn)品，甚受現(xiàn)場觀眾歡迎，吸引了很多客戶查詢，對新產(chǎn)品的“寬禁帶、低損耗及高耐溫”性能，表示莫大的興趣。
　　
　　這系列碳化硅功率模塊產(chǎn)品，是三菱電機在去年7月發(fā)布，為已近極限的硅材料制造的IGBT芯片帶來突破。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍，臨界擊穿電場強度是硅的10倍，電子飽和速率是硅的2倍。
　　
　　與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積；提升變流器效率；提高開關(guān)頻率，縮小濾波器體積；確保高溫環(huán)境下運行的可靠性；還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。碳化硅功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。
　　
　　三菱電機迄今為止發(fā)布的碳化硅功率模塊，包括用于變頻空調(diào)的600V/1混合碳化硅DIPIPMTM、600V/20A混合碳化硅DIPPFCTM、600V/20A全碳化硅DIPPFCTM，用于工業(yè)設(shè)備的1200V/7混合碳化硅-IPM、1200V/800A全碳化硅模塊、600V/200A混合碳化硅IPM，以及用于鐵路牽引的1700V/1200A混合碳化硅-HVIGBT。
　　
　　在展會上，除了以上碳化硅功率模塊吸引觀眾的目光外，三菱電機同步展出的新型功率模塊，包括新的工業(yè)用DIPIPMTM、家電用第6代DIPIPMTM、變頻冰箱用MOS-DIPIPMTM、新一代IPM、第6.1代IGBT模塊、第6代T型三電平IGBT模塊、第6代新型MPD模塊、R系列HVIGBT、J系列汽車用EVT-PM模塊和EV-IPM，都吸引參觀者的視線。
　　
　　為了方便客戶采用新型功率模塊開發(fā)變流器產(chǎn)品，三菱電機還展示多種變流器整體解決方案，包括基于第5代DIPIPMTM的變頻空調(diào)驅(qū)動器、基于MOS-DIPIPMTM的變頻冰箱驅(qū)動器、基于工業(yè)DIPIPMTM的伺服驅(qū)動器、風電變流器功率組件MPD-Stack和100kWT型三電平并網(wǎng)逆變器等，令人一目了然。