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武漢普賽斯儀表PMDT系列IGBT全動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時...

武漢普賽斯儀表功率半導體測試設(shè)備igbt測試儀SiC|IGBT測試可精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半...

功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測...

IGBT單管|模塊測試機集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高...

IGBT靜態(tài)測試大電流通路集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、納安級電流測量能力等特...

武漢普賽斯IGBT|SiC功率半導體器件測試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢...

igbt靜態(tài)性能測試設(shè)備是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率...