半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)等產品,半導體電性能IV+CV測試儀認準生產廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯五合一高精度數字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具，接線簡單、方便操作

產品曲線圖：

利用數字源表簡化半導體分立器件特性參數測試

豐富的半導體IV特性測試行業(yè)經驗；

全面的解決方案：二極管、MOSFET、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等；

提供適當的電纜輔件和測試夾具……

普賽斯S系列數字源表優(yōu)點：

同時精確提供和測量電壓和/或電流；

    同步測量，減少測試時間

提供和測量非常廣的電流和電壓；

     電壓測試范圍30uV-300V,電流測試范圍1pA-1A

支持運行用戶腳本程序，無需電腦控制，提高生產測試速度；

    序列測試，簡化操作，降低成本

采用用戶熟悉的圖形界面，不管用戶經驗是否豐富，使用起來都非常簡便；

    觸屏操作

與傳統(tǒng)電源比：

電源過零需要改變線連接方式；

     增加需反復開關機械開關，降低了設備可靠性

電壓電流限制精度有限；

電壓1%，電流10mA

與電源結合萬用表組合比：

萬用表電源組合需要編程實現設備控制及同步；

    復雜連線、編程開發(fā)

電源限壓限流性能差

      限壓限流精度低，瞬態(tài)特性也無法保證

有關半導體電性能IV+CV測試儀的更多信息，找普賽斯儀表為您解答，普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業(yè)鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態(tài)參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！