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產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否

2000V/2000A雙脈沖測試動態(tài)參數(shù)系統(tǒng)概述

PMDT功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時和損耗，評估器件的安全工作區(qū)，對器件和驅(qū)動電路的短路保護特性進行驗證，測量功率組件的雜散電感。設(shè)備既可以用于功率器件選型評估，又可以用于驅(qū)動電路和功率母排的優(yōu)化設(shè)計，能夠幫助用戶開發(fā)性能更優(yōu)化、工作更可靠的電力電子功率平臺。

2000V/2000A雙脈沖測試動態(tài)參數(shù)系統(tǒng)

系統(tǒng)組成

PMDT功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要由雙脈沖信號發(fā)生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測試驅(qū)動板，可覆蓋開關(guān)參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測試；具備數(shù)據(jù)管理功能，可實時保存測試結(jié)果及波形曲線，自動生成測試報告

系統(tǒng)特點

高電壓達2000V（最大擴展至8kV）

大電流達2000A（可擴展至6000A）

低寄生電感設(shè)計：＜20nH寄生電感

安全防護機制：集成防爆、過流/過壓保護

全功能測試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數(shù)

自動化與智能化，負載電感自動切換

溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃)

兼容多種封裝，可根據(jù)測試需求定制夾具

2000V/2000A雙脈沖測試動態(tài)參數(shù)系統(tǒng)測試參數(shù)

開通特性：開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t

關(guān)斷特性：關(guān)斷延時時間td(off)、關(guān)斷上升時間tf、關(guān)斷時間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t

反向恢復(fù)特性：反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、最大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id vs.t

短路特性：短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc

柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t

反偏安全工作區(qū)：關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的功率半導(dǎo)體，如IGBT、SiC、MOS等產(chǎn)品，普賽斯提供整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試

2000V/2000A雙脈沖測試動態(tài)參數(shù)系統(tǒng)