簡介：

單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時具備較強(qiáng)的抗電磁*力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用。

優(yōu)勢：

單晶硅技術(shù)壓力傳感器

雙膜片過載防護(hù)結(jié)構(gòu)

集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊

顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)

殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置

耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊

特征：

測量范圍: 200Pa-40MPa

輸出信號: 4-20mA, 4~20mA/HART

參考精度: ±0.2%,±0.1%,±0.05% URL

工作溫度: -40-85℃, LCD 顯示模塊: -20-70℃

介質(zhì)溫度: -40-120℃,

測量介質(zhì)：液體、氣體或蒸汽

防護(hù)等級: IP67

電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc

膜片材質(zhì): SS316L, 哈氏合金 C

年穩(wěn)定性: ±0.2% URL/5年

過程連接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)

認(rèn)證:CE、防爆