一、武漢微型盒式真空高低溫探針臺(tái)核心功能與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
真空環(huán)境控制
通過(guò)機(jī)械泵與分子泵組合,實(shí)現(xiàn)高真空度(<5×10?3Pa),有效抑制氧化、熱噪聲及空氣干擾,確保測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。
適用于易氧化材料(如鈣鈦礦薄膜)或高頻器件(如5G PA芯片)的測(cè)試。
高低溫循環(huán)能力
溫度范圍:支持-196℃(液氮制冷)至+400℃(電阻加熱),滿(mǎn)足硅光子芯片、超導(dǎo)材料等在不同溫區(qū)的性能測(cè)試需求。
變溫速率:高溫區(qū)升溫速率達(dá)100℃/min,低溫區(qū)降溫速率7℃/min,可模擬芯片在實(shí)際工作環(huán)境中的快速溫度變化。
微型化與模塊化設(shè)計(jì)
緊湊結(jié)構(gòu):腔體內(nèi)尺寸127mm×57mm×20mm,重量約1.5kg(不銹鋼材質(zhì)),適配實(shí)驗(yàn)室桌面空間。
分體式探針模塊:探針部分可獨(dú)立拆卸,支持輻照實(shí)驗(yàn)或三溫測(cè)試(常溫/高溫/低溫)。
二、武漢微型盒式真空高低溫探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)
參數(shù)指標(biāo)
真空度機(jī)械泵:≤5Pa(5分鐘);分子泵:≤5×10?3Pa(30分鐘)
溫度范圍-196℃至+400℃
溫度控制精度±0.5℃
探針移動(dòng)精度X/Y軸:±5μm;Z軸:≤50μm(手動(dòng)螺紋調(diào)節(jié))
探針數(shù)量4探針(可擴(kuò)展至5探針)
探針材質(zhì)與尺寸鍍金鎢針,直徑10μm
信號(hào)接口BNC/三同軸/SMA接頭,支持IV/CV/RF測(cè)試
屏蔽性能配合鋁制屏蔽盒,抗干擾能力提升
三、典型應(yīng)用場(chǎng)景
半導(dǎo)體器件測(cè)試
射頻芯片:在67GHz頻段下測(cè)試功率放大器(PA)的S參數(shù)與輸出功率,評(píng)估其在高溫/低溫環(huán)境下的可靠性。
功率半導(dǎo)體:測(cè)試SiC MOSFET在10kV高壓、300℃高溫下的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻與雪崩能量。
材料科學(xué)研究
超導(dǎo)材料:在4K至室溫范圍內(nèi)測(cè)量超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(Tc)與臨界電流密度(Jc)。
二維材料:評(píng)估石墨烯、MoS?等材料在真空環(huán)境下的載流子遷移率與光電響應(yīng)。
失效分析與可靠性驗(yàn)證
量子芯片:在10mK極低溫下測(cè)試量子比特的相干時(shí)間(T1/T2)與門(mén)操作保真度。
汽車(chē)電子:模擬-40℃至150℃全溫區(qū)環(huán)境,驗(yàn)證AEC-Q100 Grade 0芯片的ESD耐受性與TDDB擊穿特性。