【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】人工智能和高性能計算等變革性技術(shù)快速發(fā)展，對現(xiàn)有信息傳輸和處理技術(shù)提出巨大挑戰(zhàn)。硅光集成以CMOS工藝為基礎(chǔ)，是后摩爾時代的重要技術(shù)路徑。在無偏角硅基襯底上通過異質(zhì)外延技術(shù)制備的硅基量子點激光器是硅光單片集成的核心光源，目前相關(guān)的FP激光器、DFB激光器、微環(huán)激光器等均已有公開報道，但是具備結(jié)構(gòu)緊湊、低成本等優(yōu)點的直調(diào)激光器研究相對缺失。
 

　　近期，中國科學院半導(dǎo)體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)實驗室楊濤-楊曉光研究員團隊在高速、抗反射硅基量子點直調(diào)激光器研究方面取得重要進展。室溫下，器件的調(diào)制帶寬達到3.8 GHz，可支撐12.5 Gbit/s的NRZ格式直調(diào)。同時，器件具備優(yōu)秀的抗反射特性，在反饋強度高達-9 dB的B2B條件下和-12 dB的2公里單模光纖傳輸條件下，10 Gbit/s NRZ信號的誤碼率仍可低至10-5量級。該工作為高集成、低功耗、低成本且無需光隔離器的硅光單片集成提供了優(yōu)秀的光源方案。
 

　　相關(guān)研究成果以12.5 Gbit/s directly modulated InAs/GaAs quantum dot lasers grown on Si (001) substrate with strong optical feedback resistance為題，發(fā)表于《光學快報》(Optics Express)，并被編輯評選為當期亮點工作。半導(dǎo)體所博士研究生王勝林為該論文的第一作者，楊曉光研究員為該論文的通信作者，半導(dǎo)體所陸丹研究員在器件性能測試上提供了重要支持。該研究工作得到了國家自然科學基金(62334007, 62035012)等大力支持。
 

圖1 器件在(a)室溫變電流及(b)變溫條件下的小信號頻率響應(yīng)
 

　　圖2器件在不同的(a-c)光反饋強度、(d-e)傳輸距離和工作溫度條件下的10 Gbit/s NRZ調(diào)制眼圖和(f)系統(tǒng)誤碼率