PMST系列半導(dǎo)體功率模塊測(cè)試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求，確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的著越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時(shí)，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。從皮安級(jí)、mV級(jí)高精度源表到k安級(jí)、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國(guó)產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線，應(yīng)領(lǐng)了國(guó)內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流。

硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)

1、大電流輸出響應(yīng)快，無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖。測(cè)試過程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs，      脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快、無過沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止         器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞。

半導(dǎo)體功率模塊測(cè)試系統(tǒng)訂貨信息