使用 4200A-SCS 加快半導(dǎo)體設(shè)備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 測量。
參數(shù)查看，快速清晰。
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達(dá) 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業(yè)知識（業(yè)界）可提供測試指南并讓您對結(jié)果充滿信心。
特點(diǎn)
測量、 切換、 重復(fù)。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動(dòng)在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設(shè)置，并在出現(xiàn)意想不到的結(jié)果時(shí)輕松排除故障。
特點(diǎn)
檢定、 自定義、 。
簡單地說，4200A-SCS 可以自定義且全面升級，您可以對半導(dǎo)體設(shè)備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學(xué)或幾乎任何類型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評估。
特點(diǎn)
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動(dòng)和半自動(dòng)晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
特點(diǎn)
降低成本并保護(hù)您的投資
吉時(shí)利保障計(jì)劃以按需服務(wù)事件的一小部分成本提供快速、高質(zhì)量的服務(wù)。 只需點(diǎn)擊一下或一個(gè)電話即可獲得維修服務(wù)，在此過程中，無需報(bào)價(jià)或填寫采購單，也不會有審批延誤。
半導(dǎo)體可靠性
在執(zhí)行復(fù)雜的可靠性測試時(shí)，4200A-SCS 可以幫您處理復(fù)雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項(xiàng)目，使您能夠快速開始設(shè)備分析。
特點(diǎn)
提供適合高阻抗應(yīng)用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術(shù)分析高電阻樣本的電容。 該技術(shù)可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，同時(shí)可與 4210-CVU 結(jié)合使用，執(zhí)行更高頻率測量。
特點(diǎn)
非易失內(nèi)存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術(shù)。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術(shù)提供支持和即用型測試，從浮動(dòng)門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時(shí)支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個(gè)并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機(jī)器連接即可生成 LIV（光強(qiáng)-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關(guān)支持使您能夠使用相同的儀器對單個(gè)二極管或整個(gè)陣列進(jìn)行晶圓生產(chǎn)測試。 SMU 可配置為高達(dá) 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應(yīng)用。
納米級設(shè)備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發(fā)方面的測量要求。 從預(yù)配置測試項(xiàng)目開始著手，逐步擴(kuò)大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點(diǎn)同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內(nèi)含測試可自動(dòng)重復(fù)執(zhí)行范德堡計(jì)算，節(jié)省您寶貴的研究時(shí)間。10aA 的電流分辨率和大于 10????16 歐姆的輸入阻抗可提供更準(zhǔn)確和精準(zhǔn)的結(jié)果。
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執(zhí)行全面的 MOS 設(shè)備檢定。 內(nèi)含測試和項(xiàng)目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動(dòng)離子濃度等問題。 只需觸摸一個(gè)儀器盒中的按鈕，即可運(yùn)行所有這些測試。
Keithley 4200A-SCS 參數(shù)分析儀 概述
參數(shù)查看，快速清晰。
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達(dá) 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業(yè)知識（業(yè)界）可提供測試指南并讓您對結(jié)果充滿信心。
特點(diǎn)
- 內(nèi)置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語
- 使用數(shù)百個(gè)用戶可修改應(yīng)用測試開始您的測試
- 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)
測量、 切換、 重復(fù)。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動(dòng)在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設(shè)置，并在出現(xiàn)意想不到的結(jié)果時(shí)輕松排除故障。
特點(diǎn)
- 無需重新布線即可將 C-V 測量移動(dòng)到任何設(shè)備終端
- 用戶可配置低電流功能
- 個(gè)性化輸出通道名稱
- 查看實(shí)時(shí)測試狀態(tài)
檢定、 自定義、 。
簡單地說，4200A-SCS 可以自定義且全面升級，您可以對半導(dǎo)體設(shè)備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學(xué)或幾乎任何類型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評估。
特點(diǎn)
- NBTI/PBTI 測試
- 隨機(jī)電報(bào)噪聲
- 非易失內(nèi)存設(shè)備
- 穩(wěn)壓器應(yīng)用測試
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動(dòng)和半自動(dòng)晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
特點(diǎn)
- “點(diǎn)擊”測試定序
- “手動(dòng)”探測器模式測試探測器功能
- 假探測器模式無需移除命令即可實(shí)現(xiàn)調(diào)試
降低成本并保護(hù)您的投資
吉時(shí)利保障計(jì)劃以按需服務(wù)事件的一小部分成本提供快速、高質(zhì)量的服務(wù)。 只需點(diǎn)擊一下或一個(gè)電話即可獲得維修服務(wù)，在此過程中，無需報(bào)價(jià)或填寫采購單，也不會有審批延誤。
Keithley 4200A-SCS 參數(shù)分析儀 規(guī)格
| 型號 | 說明 |
|---|---|
| 4200A-SCS-PK1 高分辨率 IV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率 對于兩端和三端設(shè)備，MOSFET、CMOS 檢定套件4200A-SCS-PK1 包括：
|
| 4200A-SCS-PK2 高分辨率 IV 和 CV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 檢定套件4200A-SCS-PK2 包括：
|
| 4200A-SCS-PK3 高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 | 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于功率設(shè)備、高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 設(shè)備檢定套件4200A-SCS-PK3 包括：
|
| 4200-BTI-A 超快 NBTI/PBTI 套件 | 用于使用 CMOS 技術(shù)套件進(jìn)行復(fù)雜的 NBTI 和 PBTI 測量4200-BTI-A 包括：
|
Keithley 4200A-SCS 參數(shù)分析儀 應(yīng)用
半導(dǎo)體可靠性
在執(zhí)行復(fù)雜的可靠性測試時(shí)，4200A-SCS 可以幫您處理復(fù)雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項(xiàng)目，使您能夠快速開始設(shè)備分析。
特點(diǎn)
- 只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求
- 支持多種探頭站和外部儀器
- 循環(huán)系統(tǒng)易于使用，允許在無需編碼的情況下重復(fù)測試
提供適合高阻抗應(yīng)用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術(shù)分析高電阻樣本的電容。 該技術(shù)可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實(shí)現(xiàn)應(yīng)用，同時(shí)可與 4210-CVU 結(jié)合使用，執(zhí)行更高頻率測量。
特點(diǎn)
- .01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度
- 3? 位典型分辨率，最小典型值 10 fF
非易失內(nèi)存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術(shù)。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術(shù)提供支持和即用型測試，從浮動(dòng)門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時(shí)支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個(gè)并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機(jī)器連接即可生成 LIV（光強(qiáng)-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關(guān)支持使您能夠使用相同的儀器對單個(gè)二極管或整個(gè)陣列進(jìn)行晶圓生產(chǎn)測試。 SMU 可配置為高達(dá) 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應(yīng)用。
納米級設(shè)備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發(fā)方面的測量要求。 從預(yù)配置測試項(xiàng)目開始著手，逐步擴(kuò)大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點(diǎn)同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內(nèi)含測試可自動(dòng)重復(fù)執(zhí)行范德堡計(jì)算，節(jié)省您寶貴的研究時(shí)間。10aA 的電流分辨率和大于 10????16 歐姆的輸入阻抗可提供更準(zhǔn)確和精準(zhǔn)的結(jié)果。
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執(zhí)行全面的 MOS 設(shè)備檢定。 內(nèi)含測試和項(xiàng)目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動(dòng)離子濃度等問題。 只需觸摸一個(gè)儀器盒中的按鈕，即可運(yùn)行所有這些測試。
Keithley 4200A-SCS 參數(shù)分析儀 模塊
| 模塊 | 說明 |
|---|---|
| 4200-BTI-A | 超快速 BTI 包 |
| 4200-PA | 遠(yuǎn)程預(yù)放大器模塊 |
| 4200-SMU | 中功率源測量單位 |
| 4200A-CVIV | I-V/C-V 多開關(guān)模塊 |
| 4210-CVU | 電容-電壓單位 |
| 4210-SMU | 大功率源測量單元 |
| 4220-PGU | 高電壓脈沖發(fā)生器單元 |
| 4225-PMU | 超快速脈沖測量單位 |
| 4225-RPM | 遠(yuǎn)程預(yù)放大器/開關(guān)模塊 |
| 4200-SMU-R | 可現(xiàn)場更換的 MPSMU |
| 4210-SMU-R | 可現(xiàn)場更換的 HPSMU |
