一、湖北非真空高低溫探針臺技術特點

寬溫域覆蓋

溫度范圍通常為-196℃（液氮溫度）至300℃或更高，部分型號可覆蓋-60℃至500℃，滿足不同材料和器件對惡劣溫度的測試需求。

溫度穩(wěn)定性高，如某些型號在-60℃至300℃范圍內(nèi)可實現(xiàn)±0.1℃的溫度控制精度，確保測試結果的準確性。

非真空環(huán)境設計

采用密閉腔體結構，通過屏蔽暗室或惰性氣體保護，防止無線電磁干擾，同時避免真空環(huán)境帶來的復雜操作和成本。

適用于對氧化不敏感的材料測試，如部分金屬材料、陶瓷材料及部分半導體器件。

高精度定位與測量

配備高精度探針臂和顯微鏡，可實現(xiàn)亞微米級定位精度，滿足微小器件的測試需求。

支持IV/CV/RF等多參數(shù)測試，漏電精度可達10p，高頻測試頻段可達67GHz，滿足高頻器件的測試需求。

二、湖北非真空高低溫探針臺應用場景

半導體器件研發(fā)

測試晶體管、二極管等器件在不同溫度下的電學特性，如導通特性、擊穿電壓、噪聲系數(shù)等，評估器件的可靠性和穩(wěn)定性。

適用于對氧化不敏感的半導體材料測試，如某些化合物半導體（如GaAs、GaN）的初步研發(fā)階段。

材料科學研究

研究材料在惡劣溫度下的電學、熱學特性，如電阻率、熱導率、熱膨脹系數(shù)等，為新材料開發(fā)提供數(shù)據(jù)支持。

適用于金屬材料、陶瓷材料及部分復合材料的性能測試。

光電與傳感器開發(fā)

測試光電探測器、傳感器等器件在不同溫度下的響應特性，優(yōu)化器件的設計參數(shù)。

適用于對氧化不敏感的光電材料測試，如某些紅外探測器材料的初步篩選。

三、優(yōu)勢

操作簡便，成本低

非真空環(huán)境設計簡化了操作流程，無需復雜的真空抽取和維持設備，降低了設備成本和維護成本。

適用于實驗室研發(fā)和小批量生產(chǎn)，提高了測試效率。

適應性強

可測試對氧化不敏感的多種材料和器件，拓寬了應用范圍。

部分型號支持快速溫度變化，如從-60℃升至300℃僅需數(shù)分鐘，適用于熱循環(huán)測試等場景。

高精度與高可靠性

采用溫度控制系統(tǒng)和精密的電學測量系統(tǒng)，確保測試結果的準確性和可重復性。

設備結構穩(wěn)定，使用壽命長，適用于長時間連續(xù)測試。

四、選型要點

溫度范圍與穩(wěn)定性

根據(jù)測試需求選擇合適的溫度范圍，并關注溫度控制精度和穩(wěn)定性。

探針定位精度與測量能力

確保探針臂的定位精度和顯微鏡的放大倍數(shù)滿足測試需求，同時關注設備的測量參數(shù)范圍和精度。

環(huán)境適應性

考慮設備對電磁干擾、射頻干擾的屏蔽能力，以及是否需要惰性氣體保護等環(huán)境適應性要求。

設備擴展性與兼容性

優(yōu)先選擇支持模塊化升級的設備，如可加載針卡、支持自動化測試腳本等，以適應未來測試需求的變化。

確保設備與常用測試儀器（如源表、網(wǎng)絡分析儀）的兼容性。